Growth of hexagonal quantum dots under preferential evaporation
Croissance de boîtes quantiques hexagonales sous évaporation préférentielle
Résumé
We perform numerical simulations of hexagonal quantum dots of AlGaN semiconductors. We show that the competition between surface mass diffusion and evaporation rules the morphology of the quantum dots. The system displays three different behaviors: presence of separated islands without a wetting layer, islands dissolving into the wetting layer, or islands that do not evolve. The first behavior is of special interest because its optoelectrical properties are significantly improved in comparison with quantum dots with a wetting layer.
Nous effectuons une simulation numérique des boîtes quantiques hexagonales de semiconducteurs AlGaN. Nous montrons que la compétition entre la diffusion de masse en surface et l'évaporation détermine la morphologie des boîtes quantiques. Le système montre trois comportements différents : des îlots séparés sans couche de mouillage, des îlots se dissolvant dans la couche de mouillage ou des îlots ne pouvant évoluer. Le premier comportement présente un intérêt particulier, car les propriétés optoélectriques sont considérablement améliorées par rapport aux boîtes quantiques avec une couche de mouillage.
Origine : Publication financée par une institution
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