A Network Topological Approach-Based Transient 3-D Electrothermal Model of Insulated-Gate Bipolar Transistor - Sorbonne Université Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue IEEE Transactions on Magnetics Année : 2020

A Network Topological Approach-Based Transient 3-D Electrothermal Model of Insulated-Gate Bipolar Transistor

Jiajia Chen
  • Fonction : Auteur
Shiyou Yang
Zhuoxiang Ren
Sorbonne Université
CV

Domaines

Sciences de l'ingénieur [physics]

Zhuoxiang Ren  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.sorbonne-universite.fr/hal-04462006

Soumis le : vendredi 16 février 2024-13:24:02

Dernière modification le : lundi 19 février 2024-03:34:32

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-04462006 , version 1 (16-02-2024)

Identifiants

Citer

Jiajia Chen, Shiyou Yang, Zhuoxiang Ren. A Network Topological Approach-Based Transient 3-D Electrothermal Model of Insulated-Gate Bipolar Transistor. IEEE Transactions on Magnetics, 2020, 56 (2), pp.1-4. ⟨10.1109/TMAG.2019.2946283⟩. ⟨hal-04462006⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

SORBONNE-UNIVERSITE
4 Consultations
0 Téléchargements

Altmetric

Partager

Gmail Mastodon Facebook X LinkedIn More