Appareillage pour l'etude “in situ” par diffraction des rayons X et mesure de la resistance electrique des depots metalliques realises a tres basse temperature
Résumé
An apparatus is described which allowed the study at all times of the electrical resistivity and crystallographic structure of deposits between 4, 8 and 350 K. This device is used in order to identify amorphous and crystalline phases of gallium.
On décrit un montage permettant de suivre de manière continue le comportement de la résistance électrique et l'évolution cristallographique de dépôts entre 4, 8 et 350 K. Ce dispositif est utilisé pour l'identification des phases amorphe et cristallines du gallium.