Évolution des mémoires à semi-conducteurs à accès aléatoire
Résumé
This paper aims at tracing the technical developments that led to the current memory. After a brief presentation of the different subsets of this component including the storage array, the control logic and the input-output interface, we detail of each of them the developments. The picture of what might be called the "perfect memory" is then sketched from current research and industry trends. In particular, three electronic components now available, phase change, ferroelectric and magnetoresistive memories, and the respective representatives of which are the PCRAM, FRAM and MRAM are presented.
Cet article a pour but de retracer les évolutions techniques qui ont abouti aux mémoires actuelles. Après une brève présentation des différents sous-ensembles de ce composant que sont la matrice de mémorisation, la logique de contrôle et l’interface d’entrée-sortie, nous détaillons pour chacun d’eux leurs évolutions. Le portrait de ce que l’on pourrait appeler la « mémoire idéale » est ensuite esquissé à partir des recherches et des réponses industrielles actuelles. En particulier trois composants électroniques disponibles aujourd’hui qui sont les mémoires à changement de phase, ferroélectriques et magnétorésistives (respectivement la PCRAM, la FRAM et la MRAM) sont présentés.