A Network Topological Approach-Based Transient 3-D Electrothermal Model of Insulated-Gate Bipolar Transistor - Sorbonne Université
Article Dans Une Revue IEEE Transactions on Magnetics Année : 2020

A Network Topological Approach-Based Transient 3-D Electrothermal Model of Insulated-Gate Bipolar Transistor

Jiajia Chen
  • Fonction : Auteur
Shiyou Yang
Zhuoxiang Ren
Sorbonne Université
CV

Domaines

Sciences de l'ingénieur [physics]

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Soumis le : vendredi 16 février 2024-13:24:02

Dernière modification le : lundi 19 février 2024-03:34:32

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Dates et versions

hal-04462006 , version 1 (16-02-2024)

Identifiants

Citer

Jiajia Chen, Shiyou Yang, Zhuoxiang Ren. A Network Topological Approach-Based Transient 3-D Electrothermal Model of Insulated-Gate Bipolar Transistor. IEEE Transactions on Magnetics, 2020, 56 (2), pp.1-4. ⟨10.1109/TMAG.2019.2946283⟩. ⟨hal-04462006⟩

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