Article Dans Une Revue
Journal of electroanalytical chemistry and interfacial electrochemistry
Année : 1987
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https://hal.sorbonne-universite.fr/hal-04642710
Soumis le : mercredi 10 juillet 2024-08:40:02
Dernière modification le : samedi 13 juillet 2024-03:11:52
Citer
N. Gabouze, B. Fotouhi, O. Gorochov, Hubert Cachet, N.A. Yao. Flatband potential shift of n-type GaAs in CH3CN containing different redox reagents. Journal of electroanalytical chemistry and interfacial electrochemistry, 1987, 237 (2), pp.289-293. ⟨10.1016/0022-0728(87)85242-7⟩. ⟨hal-04642710⟩
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