Electrochemical etching and plating on silicon: application to junction delineation.
Gravure et depots electrochimiques sur le silicium : application a la revelation de jonctions.
Abstract
This work focuses on electrochemical etching and deposition mechanisms in open circuit in order to find the optimal conditions for the revelation of p/n junctions on silicon. The study of silicon etching in the modified m. Wright jenkins solution is discussed in the first part of the these. Open circuit etching is independent of doping and conductivity type up to 10#1#8 at/cm#3. This is explained by a reaction-like mechanism limit by the dissolution of the oxide form. The kinetic behavior of si10#1#5 is explained by the existence of a thermo-ionic current which decreases the corrosion on n-si10#1#5 and increases it by p-si10#1#5. The surface state e#s (e#c-e#s=0.52 ev) is linked to the presence of chromium on the surface; this allows the injection of an electron in the conduction band of n-si10#1#5 in depletion.
Ce travail s'interesse aux mecanismes de gravure et de depot electrochimiques en circuit ouvert dans le but de trouver les conditions optimales pour la revelation de jonctions p/n sur le silicium. L'etude de la gravure du silicium dans la solution de m. Wright jenkins modifiee est traitee dans la premiere partie de la these. La gravure en circuit ouvert est independante du dopage et du type de conductivite jusqu'a 10#1#8 at/cm#3. Ceci s'explique par un mecanisme de type reactionnel limite par la dissolution de l'oxyde forme. Le comportement cinetique de si10#1#5 s'explique par l'existence d'un courant thermo-ionique qui diminue la corrosion sur n-si10#1#5 et l'augmente par p-si10#1#5. L'etat de surface e#s (e#c-e#s=0,52 ev) est lie a la presence de chrome en surface; celui-ci permet l'injection d'un electron dans la bande de conduction de n-si10#1#5 en depletion.
| Origin | Files produced by the author(s) |
|---|---|
| Licence |
