Un matériau absorbant permet de réduire fortement la réflexion d'une onde incidente sur une surface. Une méthode classique de conception d'un absorbant consiste à insérer des pertes sur la surface du matériau, par exemple par l'utilisation des couches résistives placées au-dessus d'une surface métallique et espacées d'environ un quart de longueur d'onde [1], [2]. Néanmoins, l'inconvénient majeur de cette technique est l'accroissement considérable de l'épaisseur de la structure pour obtenir une structure fonctionnant sur une large bande. En 2002, Engheta propose d'introduire des métamatériaux dans la conception d'absorbants [3]. Cette approche constitue une rupture technologique puisqu'elle permet de réduire drastiquement l'épaisseur. Ainsi, l'utilisation d'une Surface Haute Impédance (SHI) associée à un matériau résistif comme absorbant est proposée dans [4]. Ce type de structures, dénommées SHIR (Surfaces à Haute Impédance Résistives), est constitué de motifs métalliques périodiques imprimés sur un substrat diélectrique au-dessus d'un plan de masse ; les motifs métalliques étant interconnectés par des résistances. Un tel matériau présente l'avantage d'être léger et de faible épaisseur. Dans ce travail, un absorbant basé sur une structure SHIR classique est présenté. Il est optimisée pour avoir de bonnes performances d'absorption (|S11| <-15dB dans la bande [2-2.3GHz] soit 14%) pour une incidence normale, tout en remplissant certaines contraintes spécifiques aux applications spatiales comme une densité massique inférieure à 1kg/m² et une épaisseur inférieure à 50 mm. La figure 1 montre la cellule unitaire de la structure SHIR proposée. Celle-ci est constituée de patchs en cuivre carrés gravés sur un substrat Rogers RO4003 (εr = 3.38+/-0.05). En dessous, se trouvent une couche de nid d'abeille (εr = 1.08) puis le plan de masse constitué d'un film de cuivre. Les résistances interconnectant les patchs sont réalisées avec du film résistif TICER de largeur Wres=0.53mm, de résistance 100Ω/carré et d'épaisseur t=0.1µm ce qui permet d'obtenir une résistance de 377 Ω. La structure est simulée et optimisée en utilisant le solveur fréquentiel de CST Microwave Studio®. La Figure 2 illustre le prototype. Les différentes couches (substrat avec les patchs et film résistif, nid d'abeille et film de cuivre) sont assemblées en utilisant un film adhésif double face. Ses dimensions sont de 578x428mm avec une épaisseur de 25.25mm, et sa masse surfacique est de 2.473 kg/m². Sur le poster, nous allons présenter les résultats expérimentaux en incidence normale et oblique pour des ondes polarisées TE et TM. Figure 1. Cellule unitaire. Figure 2. Structure SHIR réalisée.